«Начало массового производства нашей линейки eUFS 3.0 даёт нам огромное преимущество на рынке мобильных устройств следующего поколения, которому мы обеспечиваем скорость чтения, которая раньше была доступна только на ультратонких ноутбуках. По мере того как мы расширяем наши предложения eUFS 3.0, включая версию объёмом 1 терабайт (ТБ), в конце этого года, мы ожидаем, что будем играть важную роль в ускорении темпов развития на рынке мобильных телефонов премиум-класса», — рассказал Чол Чой, исполнительный вице-президент отдела по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics.
Чипы памяти Samsung eUFS 3.0 на 512 ГБ состоят из восьми 512-гигабитных (Гбит) V-NAND кристаллов пятого поколения с интегрированным высокопроизводительным контроллером. Максимальная скорость передачи данных выросла до 2100 МБ/с. Для сравнения, чип Samsung eUFS 2.1 на 1 ТБ поддерживает передачу информации на скорости до 1000 МБ/с. Такая скорость чтения в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA (SSD), и в 20 раз выше, чем у обычной карты microSD. Скорость последовательной записи теперь составляет 410 МБ/с, что эквивалентно SATA SSD. Скорость произвольного чтения и записи выросла на 36%.
Одним из первых устройств с новым чипом памяти должен стать складной смартфон Galaxy Fold. Кроме того, во второй половине года компания планирует начать производство модулей eUFS 3.0 на 128 ГБ и 1 ТБ.
